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INN3977設計的800V汽車應急電源外加MOS

汽車應急電源的設計要求電壓比較高，InnoSwitch3-AQ產品系列將初級和次級控制器以及符合安全標準的反饋電路集成到了單個IC中，在30V至1200V的超寬輸入電壓范圍內只需要極少的元件和簡單的配置就能提供精確而穩定的輸出電壓。新款器件采用了多模式準諧振(QR)/CCM/DCM反激控制器、900V開關和Power Integrations的高速FluxLink通信鏈路，可在薄型InSOP24封裝中實現高精度調整。

InnoSwitch3-AQ在800V母線應用中的工作方式，設計均采用PI的StackFET技術，可以省略附加電路。但需要外加MOS，這個MOS的選擇需要注意哪些了？

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svs101
LV.8
2
2021-07-07 18:29

INN3977設計的應急電源支持30v~925VDC的輸入，范圍很寬。

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svs101
LV.8
3
2021-07-07 18:30

這個MOS你可以選擇PI的推薦MOS就行，性能也好。

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svs101
LV.8
4
2021-07-07 18:32
@svs101
[圖片]這個MOS你可以選擇PI的推薦MOS就行，性能也好。

不過這個MOS選擇的時候注意耐壓，一般要求500V以上的。

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紫蝶
LV.9
5
2021-07-10 13:52
@svs101
[圖片]這個MOS你可以選擇PI的推薦MOS就行，性能也好。

這個MOS 是PI的案例推薦的，就是想選擇其他的不知道怎么樣？有啥要求？

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紫蝶
LV.9
6
2021-07-10 13:53
@svs101
不過這個MOS選擇的時候注意耐壓，一般要求500V以上的。

耐高壓這個是需要的，畢竟用于800V的汽車應急電源設計

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k6666
LV.10
7
2021-07-10 16:08
@紫蝶
這個MOS是PI的案例推薦的，就是想選擇其他的不知道怎么樣？有啥要求？

無散熱器平臺式解決方案，保證回流焊之后把熱量導通到PCB板上，利于散熱，無需散熱片。

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k6666
LV.10
8
2021-07-10 16:09
@紫蝶
這個MOS是PI的案例推薦的，就是想選擇其他的不知道怎么樣？有啥要求？

現在很多采用PSR控制器 + 800V MOSFET + 疊加FET (Stack FET)，方案的缺點：輸出穩壓精度差。

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k6666
LV.10
9
2021-07-10 16:10
@紫蝶
耐高壓這個是需要的，畢竟用于800V的汽車應急電源設計

IN3997設計的電源，支持外加的StackFET，滿足 800V及以上母線電壓，FluxLink 反饋鏈路 ，無需光耦。

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fengxbj
LV.8
10
2021-07-10 16:47
@紫蝶
耐高壓這個是需要的，畢竟用于800V的汽車應急電源設計

汽車級認證的反激控制器，加上集成的MOSFET 及 StackFET的架構，實現高效的應急電源設計。

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fengxbj
LV.8
11
2021-07-10 16:48
@k6666
現在很多采用PSR控制器+800VMOSFET+疊加FET(StackFET)，方案的缺點：輸出穩壓精度差。

快速動態響應特性可以避免使用過大的輸出濾波電容，縮小產品體積。

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2021-07-10 17:04
@k6666
無散熱器平臺式解決方案，保證回流焊之后把熱量導通到PCB板上，利于散熱，無需散熱片。

芯片的同步整流功能用MOSFET替代二極管整流極大地降低了損耗

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2021-07-10 17:05
@fengxbj
汽車級認證的反激控制器，加上集成的MOSFET及StackFET的架構，實現高效的應急電源設計。

INN3977內部集成了多種保護 功能，磁通信隔離技術，簡化了電源的開發設計。

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2021-07-10 17:09
@svs101
不過這個MOS選擇的時候注意耐壓，一般要求500V以上的。

MOSFET的耐壓,一般根據負載的類型來考慮余量。比如是純阻性負載,開關頻率很低,那么余量可以小一些。

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2021-07-11 16:47
@k6666
無散熱器平臺式解決方案，保證回流焊之后把熱量導通到PCB板上，利于散熱，無需散熱片。

這種方案所需的元件數少無散熱片都是通過PCB面積來散熱的。

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2021-11-18 17:22
@fengxbj
汽車級認證的反激控制器，加上集成的MOSFET及StackFET的架構，實現高效的應急電源設計。

這類電源的IC是無光耦方案、精確的輸出電壓，穩壓精度很高，可以達到+1/-3%。

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2021-11-18 17:23
@塵埃中的一粒沙
MOSFET的耐壓,一般根據負載的類型來考慮余量。比如是純阻性負載,開關頻率很低,那么余量可以小一些。

理論上，MOS管的耐壓越高，MOS越安全，可靠性也越高。但是，同等內阻下，電壓越高，成本越高，柵極電容越大，速度也越慢。

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2021-11-18 22:36

800V母線需怎樣選擇MOS的耐壓呢，降額是多少呢

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熒火
LV.4
19
2021-12-02 11:14

集成度很高，就是不知道BOM成本是多少？

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cmdz002
LV.5
20
2022-02-21 08:43

需要外加MOS，這個MOS的選擇需要注意哪些了？

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cmdz002
LV.5
21
2022-04-23 10:30

InnoSwitch3-AQ產品系列集成了初級和次級控制器以及符合安全標準的反饋電路，設計更加簡便。

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opingss88
LV.10
22
2022-11-15 22:14
@fengxbj
汽車級認證的反激控制器，加上集成的MOSFET及StackFET的架構，實現高效的應急電源設計。

保持輸出二極管的導通時間和整個開關周期時間比例恒定，實現了輸出電流的恒定

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飛翔2004
LV.10
23
2022-11-19 11:17
@opingss88
保持輸出二極管的導通時間和整個開關周期時間比例恒定，實現了輸出電流的恒定

主要是通過電阻檢測原邊電流,控制原邊電流峰值恒定,同時控制開關占空比來實現恒流。

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飛翔2004
LV.10
24
2022-11-19 11:19
@塵埃中的一粒沙
芯片的同步整流功能用MOSFET替代二極管整流極大地降低了損耗

同步整流利用mos管的低阻抗，通常為幾十毫歐，同步變壓器的波形驅動MOS管實現整流，整流效率高，損耗低，功率大。

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opingss88
LV.10
25
2022-11-19 22:39
@k6666
IN3997設計的電源，支持外加的StackFET，滿足800V及以上母線電壓，FluxLink反饋鏈路，無需光耦。

反向恢復時間長的二極管，反向電流過沖就大，反映到原邊，就是電壓過沖了

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黑夜公爵
LV.10
26
2023-06-06 20:38
@k6666
IN3997設計的電源，支持外加的StackFET，滿足800V及以上母線電壓，FluxLink反饋鏈路，無需光耦。

開關管工作時產生大量的熱量，需要裝散熱片，從而使開關管的集電極與散熱片間產生較大的分布電容

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opingss88
LV.10
27
2023-09-17 21:40
@塵埃中的一粒沙
MOSFET的耐壓,一般根據負載的類型來考慮余量。比如是純阻性負載,開關頻率很低,那么余量可以小一些。

交流輸入電壓經過橋式整流及大電容濾波產生一個高壓DC電壓

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ehi763
LV.6
28
2023-09-18 21:44
@k6666
現在很多采用PSR控制器+800VMOSFET+疊加FET(StackFET)，方案的缺點：輸出穩壓精度差。

控制方式同時支持連續和非連續導通工作模式，可極大地提高設計靈活性，并在所有工作條件下實現效率最大化。

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tmpeger
LV.10
29
2023-09-23 22:51
@塵埃中的一粒沙
芯片的同步整流功能用MOSFET替代二極管整流極大地降低了損耗

從偏置繞組電容連接一個電阻到旁路引腳，可以從外部向器件供電

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tanb006
LV.10
30
2023-09-25 08:21

900V的內部開關是怎么承受1200V的前級電壓的？？？

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黑夜公爵
LV.10
31
2023-12-10 10:24

為了阻止電源電壓的變化，可以使用穩壓器或者電壓鉗位元件

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