中國上海，2025年5月20日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。這些器件配備其最新的[1]第3代SiC MOSFET技術，并采用緊湊型DFN8×8封裝，適用于開關電源、光伏發電機功率調節器等工業設備。四款器件于今日開始支持批量出貨。

四款新器件是首批采用小型表貼DFN8×8封裝的第3代SiC MOSFET的器件，與TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封裝相比，其體積減小90%以上，并提高了設備的功率密度。表貼封裝還允許使用比通孔型封裝更小的寄生阻抗[2]元件，從而降低開關損耗。DFN8×8是一種4引腳[3]封裝，支持對其柵極驅動的信號源端子進行開爾文連接。這減少了封裝內部源極線電感的影響，實現高速開關性能；以TW054V65C為例，與東芝現有產品相比[5]，其開通損耗降低了約55%，關斷損耗降低約25%[4]，有助于降低設備中的功率損耗。

未來東芝將繼續擴大其SiC功率器件產品線，為提高設備效率和增加功率容量做出貢獻。

測量條件：VDD＝400V、VGS＝18V/0V、ID＝20A、Ta＝25°C、L＝100μH，Rg（外部柵極電阻）＝4.7Ω

續流二極管采用各產品源極和漏極之間的二極管。（截至2025年5月，東芝對比結果）

圖1 TO-247與DFN8×8封裝的導通損耗（Eon）和關斷損耗（Eoff）比較

應用：

-服務器、數據中心、通信設備等的開關電源

-電動汽車充電站

-光伏逆變器

-不間斷電源

特性：

-DFN8×8表面貼裝封裝，實現設備小型化和自動化組裝，低開關損耗

-東芝第3代SiC MOSFET

-通過優化漂移電阻和溝道電阻比，實現漏源導通電阻的良好溫度依賴性

-低漏源導通電阻×柵漏電荷

-低二極管正向電壓：VDSF＝–35V（典型值）（VGS＝–5V）

 主要規格：

（除非另有說明，Ta＝25°C）

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注：

[1] 截至2025年5月。

[2] 電阻、電感等。

[3] 一種信號源引腳靠近FET芯片連接的產品。

[4] 截至2025年5月，東芝測量值。請參考圖1。

[5] 采用TO-247封裝且無開爾文連接的、具有同等電壓和導通電阻的650V東芝第3代SiC MOSFET。

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TW031V65C

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TW054V65C

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TW092V65C

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TW123V65C

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SiC功率器件

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TW031V65C

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