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大聯大詮鼎集團推出兩款基于英諾賽科產品的48V四相2kW降壓電源方案

2025-09-11 10:43 來源:大聯大 編輯:電源網

2025年9月11日,致力于亞太地區市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯大控股宣布,其旗下詮鼎推出兩款基于英諾賽科(Innoscience)InnoGaN INN100EA035A氮化鎵功率晶體管和INS2002FQ氮化鎵半橋驅動IC的48V四相2kW降壓電源方案。

圖示1-大聯大詮鼎基于英諾賽科產品的48V四相2kW降壓電源的展示板圖

隨著人工智能與高性能計算的爆發式增長,CPU/GPU的功率持續升高。為顯著降低傳輸損耗,全球服務器供電架構正從12V向48V系統加速升級。然而,受限于服務器內部的空間尺寸,傳統的電源方案往往需要更高的功率密度來實現從48V到12V的供電轉換。此背景下,大聯大詮鼎基于英諾賽科InnoGaN INN100EA035A氮化鎵功率器件和INS2002FQ氮化鎵半橋驅動IC推出兩款48V四相2kW降壓電源方案,旨在為48V服務器、新能源汽車系統或通信模塊提供高效、可靠的電源供電。

圖示2-大聯大詮鼎基于英諾賽科產品的48V四相2kW降壓電源的場景應用圖

與Si MOS相比,GaN具有出色的開關特性,且開關損耗更低。因此能夠實現更高的轉換效率,并提升開關頻率,同時減小磁性器件尺寸和濾波電容體積,進而提高功率密度。此次大聯大詮鼎基于英諾賽科產品推出的兩款方案均采用四相交錯Buck拓撲,每相使用1顆100V氮化鎵半橋驅動IC INS2002FQ和4顆100V雙面散熱的低壓氮化鎵功率晶體管INN100EA035A進行功率傳輸。

INN100EA035A采用雙面散熱En-FCLGA封裝技術,這一創新設計顛覆了傳統的單冷卻封裝熱管理方式,可有效降低器件的工作結溫。并且該產品具備超低導通電阻,能大幅降低能量損耗,是實現高功率密度方案的關鍵所在。

INS2002FQ采用英諾賽科自研的FCQFN 3mm×3mm封裝,專為驅動GaN而設計,其集成自舉與BST鉗位電路,支持獨立上拉和下拉輸出引腳,可分別調節開通和關斷速度。并且器件也支持三態PWM輸入,可靈活調節死區時間,實現低延遲、高驅動能力,非常適合高功率和高頻率的應用場合。

圖示3-大聯大詮鼎基于英諾賽科產品的48V四相2kW降壓電源的方塊圖

兩款解決方案分別采用雙耦合/四耦合電感設計。這種設計將傳統Buck方案中的分立電感替換為低耦合系數的耦合電感,可有效降低電感紋波電流,同時減少電感和電容體積,有助于提升系統功率密度,實現靈活的拓展功能。在40Vdc-60Vdc輸入、12V/167A輸出的條件下,兩款方案的最大輸出功率為2000W。其中采用雙耦合電感設計的峰值效率為98%@1200W,滿載效率為97.6%@2000W;采用四耦合電感的峰值效率為98.1%@1000W,滿載效率為97.7%@2000W。與市面上具有出色性能的Si MOSFET相比,兩款方案的峰值效率和滿載效率均提升1%以上。

核心技術優勢:

四相交錯Buck拓撲,生態成熟,拓展性靈活;

效率超98%,峰值效率和滿載效率均比出色的Si MOSFET高1%以上;

高開關頻率、高功率密度,且大幅降低能耗,滿載無風條件下,器件熱點溫度比出色的Si MOSFET低15度以上。

方案規格:

輸入電壓:48V;

輸入欠壓保護:39V;

輸入過壓保護:63V;

輸出電壓:12V;

輸出過壓保護:15V;

輸出限流:200A;

輸出功率:2000W;

開關頻率:250KHz;

滿載效率:62%。

本篇新聞主要來源自大大通:

基于InnoGaN INN100EA035A & INS2002FQ設計的48V系統四相2kW降壓電源方案

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關于大聯大控股:

大聯大控股是致力于亞太地區市場的國際領先半導體元器件分銷商,成立于2005,今年喜迎20周年,總部位于臺北,旗下擁有世平、品佳、詮鼎及友尚,員工人數約5,000人,代理產品供應商超過250家,全球67個服務據點,2024年營業額達新臺幣8,805.5億元。大聯大開創產業控股平臺,專注于國際化營運規模與在地化彈性,長期深耕亞太市場,以「產業首選?? 通路標竿」為愿景,全面推行「團隊、誠信、專業、效能」之核心價值觀,連續24年蟬聯「全球分銷商卓越表現獎」肯定,同時持續致力于強化ESG永續發展,連續3年榮獲國際肯定,MSCI ESG評級A級殊榮。面臨新制造趨勢,大聯大致力轉型成數據驅動(Data-Driven)企業,建置在線數字平臺─「大大網」,并倡導智能物流服務(LaaS, Logistics as a Service)模式,協助客戶共同面對智能制造的挑戰。大聯大從善念出發、以科技建立信任,并以「共創伙伴價值?? 成就未來」為企業宗旨,期望與產業「拉邦結派」共建大競合之生態系。

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