大家好，這里是大話硬件。

上一篇文章介紹了SDRAM基礎，了解到SDRAM的發展歷程。這篇文章主要總結SDRAM內部的構造和最基礎的內存訪問周期。

打開DDR的數據手冊，在Diagram這一頁如下所示：

上面的框圖說明SDRAM內部有大量banks，即多bank架構。這個多Bank有點像圖書館里面的書架。

下面是1Gb內存DDR3手冊，可以看到有8個Banks，對應到框圖里面的Bank0~Bank7

將Bank類比成書架，如下所示

在Bank內部，存在不同的行Rows，而每一行又有很多列columns

根據上面的類比，當需要讀取或者寫入數據時，也就是要借取或者還回某本書，需要3個地址信息，分別是哪個Bank（書架），哪一行，哪一列。

那么在DDR內部，完成一次數據的操作，具體是如何進行的呢？

芯片上電完成初始化后處理idle狀態。進行數據處理，主要有3步：

第一步：activating 激活

激活命令會把數據所在的bank一行，全部復制到bank對應的緩沖行里面，這里的行緩沖區訪問速度非常快。

可以類比成你需要在圖書館找到清華大學出版的電路書籍，你在前臺發出指令，圖書館會將一推車清華大學出版的電路書籍全部送到你面前。

第二步：讀取或寫入 read/write

此時數據在高速行緩沖區，可以直接進行讀取或者寫入。你能直接找你想要的具體的一本書籍。

第三步：預充電 precharge

當讀取或者寫入完成后，需要將這一行關閉掉，使其恢復到初始化的狀態，這個動作就是預充電。

預充電完，將會發生兩個變化： 如果剛剛寫入了新的數據到緩沖行，那么預充電會把修改后的數據，復制到Bank中，使Bank的數據完成更新。另外，復制完成后，緩沖區將恢復到初始態。

此時整個Bank又回到了idle的狀態。

上面三步，就是DDR一次完整的內存訪問周期。對應下面的1,2,3。

根據上面狀態機可知，在DDR內部還有refresh的操作，即刷新。在上一篇文章中介紹了SDRAM內部最小單元是一個電容和晶體管，但是這個電容并不是理想的，會慢慢漏電。刷新的操作就是給這些電容充電，防止因為漏電導致0和1發生翻轉，導致數據錯誤。

從上面框圖看出，刷新操作是不能讀取或者寫入數據的，因為上一個狀態是idle也就是在預充電完成之后，才能進行刷新。可見刷新的頻率和時間其實會影響到SDRAM操作的效率。因為刷新是實實在在地消耗時間，不能進行任何的數據操作。

將上面的命令功能總結如下：

下一篇文章將介紹SDRAM流水線操作指令