因為我的想法是,既然漏感已經被輸入吸收掉了,那MOS的耐壓的問題就可以解決了,隨之,功率做大應該也問題不大吧。
可以是可以的,但是要處理驅動的問題,否則容易炸機
驅動,我準備用變壓器隔離驅動的,但是害怕變壓器隔離驅動有問題。無法做到慢開快關。但是用柵極驅動芯片的話,又沒有找到相應的這個電壓平臺的芯片
雙管反激上管驅動使用變壓器驅動方案可以的
可以是可以的,上管要隔離驅動。
IR2233,耐壓1200V