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智能家居中高效率的GaN墻壁插座電源

對于智能家居方案開發設計,小型化、集成化、高效率都是未來趨勢,氮化鎵參數優勢在功率器件中的廣泛應用正是順應了這樣的趨勢。PI高集成度的InnoSwitch3反激式開關電源IC適用于小尺寸應用,InnoSwitch3具有輸入AC電壓檢測,提供輸入浪涌保護,空載功耗的影響<2mW;內部集成了650V/725V/750V功率開關管;采用同步整流驅動,減少二極管導通時間,增加SR FET導通時間,實現最佳效率;采用PI專利的開關和控制技術,效率極高,損耗極低;利用高速FluxLink耦合技術代替光耦,使用壽命更長。

下面是產品實物圖,引入GaN方案后相較于傳統的Si MOSFET,氮化鎵開關管在RDS(ON) 、開關損耗、總損耗等方面的表現都更出色,無需復雜的散熱設計,產品走向小型化。

氮化鎵開關管的開關損耗更低:

氮化鎵開關管的開關損耗更低:

氮化鎵器件的總損耗大大低于MOSFET:

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spowergg
LV.10
2
06-18 13:18

InnoSwitch3-pro是一種能適應各種快充協議的可編程設定的開關電源IC,其中就包括近期制定完成的USB PD 3.0 + PPS規范.

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xxbw6868
LV.10
3
06-20 13:22
@spowergg
InnoSwitch3-pro是一種能適應各種快充協議的可編程設定的開關電源IC,其中就包括近期制定完成的USBPD3.0+PPS規范.

InnoSwitch3-Pro還可以靈活設定電源的保護功能,主要是通過該IC可以通過I2C數字接口通訊設計。

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only one
LV.8
4
06-20 23:36

對于智能家居方案開發設計,小型化、集成化、高效率都是未來趨勢,氮化鎵參數優勢在功率器件中的廣泛應用正是順應了這樣的趨勢。

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06-21 09:41

如何有效高效檢測插座的電位差值

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06-22 17:59

智能家居的電源小型化、集成化、高效率都是未來的發展趨勢,這個芯片也反應了這個特點。

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06-22 23:08

空載功耗的影響<2mW,這就是很小的功耗了

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06-22 23:13

對于智能家居方案開發設計,小型化、集成化、高效率都是未來趨勢,氮化鎵參數優勢在功率器件中的廣泛應用正是順應了這樣的趨勢,有什么優勢?

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06-22 23:13

下面是產品實物圖,引入GaN方案后相較于傳統的Si MOSFET,氮化鎵開關管在RDS(ON) 、開關損耗、總損耗等方面的表現都更出色,具體是什么地方?

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沈夜
LV.8
10
06-22 23:48

如何優化智能家居設備的能效和安全性?

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tanb006
LV.10
11
06-23 14:32

一個65瓦墻插800多塊。。。。。。18瓦快充墻插也要80多,今天在五金市場問過了。。。。。。

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tanb006
LV.10
12
06-24 18:59
@地瓜patch
空載功耗的影響<2mW,這就是很小的功耗了

幾乎不耗電。但是,如果有個LED燈做指示的話,就不是這個功耗了。

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06-24 23:19

GAN集成到86盒里就太強了

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tanb006
LV.10
14
06-25 15:21

看實物,輸出有一個大電感,原理圖上怎么沒有呢?

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XHH9062
LV.9
15
06-25 22:52

挺不錯的,設計很緊湊

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htwdb
LV.8
16
06-26 10:29

InnoSwitch3 具有輸入電壓檢測、浪涌保護、空載功耗、集成開關管及同步整流(SR)驅動 等特性,非常不錯的。

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k6666
LV.10
17
07-07 17:13
@瘋狂的西紅柿
對于智能家居方案開發設計,小型化、集成化、高效率都是未來趨勢,氮化鎵參數優勢在功率器件中的廣泛應用正是順應了這樣的趨勢,有什么優勢?

PowiGaN增加了裕量和耐用性,從原來的750V增加到900V,與硅器件相比效率更高,功率也更大

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07-07 19:12
@瘋狂的西紅柿
對于智能家居方案開發設計,小型化、集成化、高效率都是未來趨勢,氮化鎵參數優勢在功率器件中的廣泛應用正是順應了這樣的趨勢,有什么優勢?

不同的耐壓可以應對不同輸入電壓的應用。功率開關一般需要有10%的降額,如果考慮雷擊、噪聲,還要增加到20%的降額

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沈夜
LV.8
19
07-22 02:23

氮化鎵在智能家居領域的優勢何在?

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dy-MZJ9CapR
LV.3
20
07-24 20:09

氮化鎵使用負壓驅動,芯片內部是如何驅動MOS管的。

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cwm4610
LV.6
21
07-28 08:42

墻壁電源是否適合標準面板開關的時候,現在裝修大多數才用了智能面板,很好的思路

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CDJ01
LV.5
22
07-28 21:44

墻壁插座電源是什么,這個電路板看著像手機充電器

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k6666
LV.10
23
08-08 13:43
@htwdb
InnoSwitch3具有輸入電壓檢測、浪涌保護、空載功耗、集成開關管及同步整流(SR)驅動等特性,非常不錯的。

由于氮化鎵本質上比硅更高效,因此有可能提高基于氮化鎵的電源的開關頻率。雖然這會增加損耗,但它們仍會顯著低于硅MOSFET的損耗,并減小變壓器的尺寸。

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