IGBT模塊在使用過程中可能會遇到多種常見故障，一般有：1.過電流損壞； 2.過電壓損壞和靜電損壞； 3.機械應力對產品的破壞； 4.IGBT失去導電能力，通常發生在導通層，導致電路中斷 5.在IGBT關斷狀態下存在微小的漏電流等。其中過電壓損壞出現概率很大，我在工作中多次遇見，現在結合自己設計電路的一點心得，簡單說下自己的改善方法。

1.增加保護電路（吸收電路）：

在IGBT上添加吸收電路（snubber電路），使用薄膜電容器，并盡可能靠近IGBT放置以繞過高頻涌流；

2.調整IGBT驅動電路的-VGE或RG：

通過減少-VGE和增加RG，可以減少關斷時的di/dt值，從而抑制過電壓。

3.縮短電解電容器與IGBT之間的距離：

將電解電容器盡可能靠近IGBT放置，以減少布線電感。使用低阻抗電容器更有效。

4.調整主電路：

為了減少電感，使用更粗、更短的導線。使用層壓銅條也非常有效。

5.控制關斷涌浪電壓：

通過添加保護電路（吸收電路）到IGBT來控制涌浪電壓。在吸收電路中使用薄膜電容器，并盡可能靠近IGBT放置，以繞過高頻涌流。

6.動態電壓反饋和主動鉗位結合的方法：

提出了一種結合動態電壓反饋和主動鉗位的過電壓抑制方法。通過電容反饋電壓上升率控制IGBT門，并將關斷電壓尖峰反饋到門電路，通過主動鉗位電路給門電路充電，從而抑制電壓尖峰。

在實際電路中，要結合自己項目的應用場景，還有電路板的面積尺寸，選擇合適方案來解決。