InnoSwitch3-Pro設計的快充方案，由于其高度集成，因而整體方案的元件數目很少。

通常情況下，為了達到減小充電器體積的目的，可以提高開關頻率縮小變壓器的尺寸。

該芯片內部集成了PWM主控芯片、650V功率器件、同步整流控制器等大部分主要功能。

效率高，采用的變頻技術可在整個負載范圍內始終保持高效率，更高的效率則意味著更低的損耗。

這樣工程師在應用過程中只需要搭配一些必要的被動元器件和協議芯片，即可完成高性能快充產品的設計，節約開發成本。

對于小功率30W以內的小功率PD快充而言，可以選用內置MOS芯片，兼顧性能和成本。

而對于45W、65W、100W等中高功率的PD快充而言，PI也有內置氮化鎵功率器件的PowiGaN芯片。比如INN3379

不過開關頻率的提升通常需要重新設計磁性元件，并且會出現驅動難調、EMI難調、電路布局不好處理等問題。

InnoSwitch3-Pro的I2C接口控制輸出電壓電流，和芯片的保護功能。可大幅減少元件數。

INN3379集成了750V氮化鎵（GaN）開關，這可以降低電流流動期間的傳導損耗,輸出功率更大。

其中電壓階躍步長為10 mV，電流階躍步長為50 mA，并且提供其他可動態設定的保護功能。

降低開關損耗，就是提高效率，INN3368采用體積更小的InSOP-24D封裝提供更大的輸出功率。

其中集成了3.6 V電源，用于為外部微控制器(MCU)供電，可以用MCU實現控制相應的功能。

InnoSwitch3的恒壓、恒流及恒功率定特性，可編程特性能夠很好的解決這些問題。

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芯片內置SenseFET無損檢測電路，相比傳統分立器件的原邊檢測能夠降低損耗

三星的S22隨機附送的電源，好像就是這個方案

通過次級控制器控制原邊的開關可以最大程度的控制同步整流MOS導通時間

電源的輸出功率支持的更大，性能出色，待機功耗很小。

PI的該系列芯片可以大廠進行定制型號及功能，使用更加便捷。

INN3368芯片內部集成的氮化鎵技術有效提升了產品的應用范圍，支持的工況更加復雜，且高效率。

處于VOUT和次級接地引腳之間的外部電阻分壓器網絡的中點連接至反饋引腳，以調整輸出電壓

鉗位電路均是為了吸收漏感的能量以降低主開關管的電壓應力

這個快充設計方案需要搭配快充協議芯片來實現，滿足不同終端負載的應用。

由于電路中存在雜散電感和雜散電容，在功率開關管關斷時，電路中也會出現過電壓并且產生振蕩

減少等效感抗即減少了相同電流情況下該感抗的儲能，也就減少了震蕩的幅值

如果尖峰電壓過高，就會損壞開關管。同時，振蕩的存在也會使輸出紋波增大，所以要加吸收電路。

由于線性預測時序控制和因果時序功能有可能無法保證安全運行，應該使用一些保護功能

在任何輸入電壓及負載條件下均可提供94%的高效性能，將電源損耗大幅降低25%，并且可以設計出無散熱片的緊湊型65 W電源，內置650V MOSFET，額定電壓達725V。InnoSwitch3器件適合對能耗、外形尺寸或熱約束提出嚴苛要求的電源，特別是那些必須符合強制性總能耗(TEC)標準的電源，現廣泛應用于：SB-PD及PPS/QC，適配器，電動工具，家電，IOT，工業控制，電機控制，儀表電表等。

通常與高歐姆電阻串聯使用，其中的導通電阻在總串聯電阻中只占很小的比例