gfs是在MOSFET中得增益。它可以表達為以下等式和用柵源偏置電壓的變化量表示漏極電流的變化量。    

gfs = [ΔIds / ΔVgs]Vds

Vds應該被設定以使器件工作在飽和區。Vgs應該被供電以使Ids變為最大額定電流的二分之一。gfs的變化取決于溝道的寬度/長度,和柵極氧化層的厚度。如圖15所示，在提供Vgs（th）后，gfs隨著漏極電流增加而動態增加，在漏極電流到達一個特定點（在較高的漏電流值）后它變為一個恒定值。如果gfs足夠高，可以從低柵極驅動電壓獲得高的電流處理能力，也可能獲得一個高的頻率響應。

溫度特性：

 由于流動性的減小，gfs隨著溫度的增加而降低。從下等式我們可以知道gfs隨溫度改變而改變，這個等式與Rds（on）和溫度關系的等式類似。    gfs(T) = gfs(25°C) （T/300）e–2.3       

 T：絕對溫度值