1、V(BR)DSS:漏-源（D-S）擊穿電壓，它具有正溫度特性。

Test Condition：Vgs=0，ID=250uA

2、IDSS：:漏-源（D-S）漏電流。一般在微安級。

Test Condition：Vgs=0，VDS=RatedVDS

3、IGSS:柵源驅動電流或反向電流。一般在納安級。

Test Condition：Vds=0，VGS=RatedVGS

4、VGS（th）：開啟電壓（閾值電壓），它具有負溫度特性。

Test Condition：Vgs=Vds，ID=250uA

5、RDS(on)：在特定的Vgs（一般為2.5V或4.5V或10V）及漏極電流（我們一般取1/2RatedID）的條件下，MOSFET導通時漏源間的阻抗，具有正溫度特性。

 功率MOSFET 在電感型負載回路中，MOSFET由開啟狀態到瞬間關斷時，漏源之間的反偏體二極管用于釋放電感負載中存儲能量的同時，也常常因此承擔雪崩擊穿帶來的對器件的影響。