體二極管失效

 在不同的拓撲、電路中，MOSFET有不同的角色，比如在LLC中，體內二極管的速度也是MOSFET可靠性的重要因素。漏源間的體二極管失效和漏源電壓失效很難區分，因為二極管本身屬于寄生參數。雖然失效后難以區分軀體緣由，但是預防電壓及二極管失效的解決辦法存在較大差異，主要結合自己電路來分析。

體二極管失效預防措施：

 其實有那個體二極管，在大部分時候都不礙事，而且有時候還有好處，比如用在H橋上，省得并二極管了。當然也有礙事的時候，那就用兩個MOS管頭頂頭或者尾對尾串聯起來就可以了。

 那個二極管是工藝決定的，也不必太在意，接受它的存在就好了。還有，多說兩句，其實MOS管的D和S本質上是對稱的結構，只是溝道的兩個接點。但是由于溝道的開啟和關閉涉及到柵極和襯底之間的電場，那么就需要給襯底一個確定的電位。又因為MOS管只有3個管腳，所以需要把襯底接到另外兩個管腳之一。那么接了襯底的管腳就是S了，沒接襯底的管腳就是D，我們應用時，S的電位往往是穩定的。在集成電路中，比如CMOS中或者還有模擬開關中，由于芯片本身有電源管腳，所以那些MOS管的襯底并不和管腳接在一起，而是直接接到電源的VCC或者VEE，這時候D和S就沒有任何區別了。