本逆變器基本配置如下:
1.前級功率管:用的是后羿半導體80V大電流系列MOS管,電流等級有140A(HY3408),170A(HY3708),200A(HY4008),現在上機測試的是的HY3708*16,參數為80V170A,內阻為3.8MR(typ).4.5MR(max);
2.前級驅動IC:SG3525+MIC4452
3.變壓器:一共4個,每個設計功率1250W,磁芯為PQ50。初級28*0.3mm銅皮3T+3T,次級28*0.15mm銅皮12T。
4.高壓整流管:RHRG7560*4;
5.后級功率管:80N60,一共8只IGBT;
6.后級驅動的主芯片:EG8010+IR2110;
7.推挽軟開關電路和硬開關電路對比。
這里說明下的是,EG8010用了非官方的接法,已經做到每路驅動都是10MS工作在50HZ方波,10MS工作在SPWM高頻載波,這樣的好處是可以消除過零點的振蕩,還可以做到4路功率管發熱和壽命均等。我這種接法的優點是已經不需要另外用4081做死區,死區時間還是由EG8010設置。
先上個板子的圖片吧,以后再詳細介紹: